NAND Flash 与 NOR Flash 的区别

      下表是 NAND 与 NOR 的主要对比表。 它指出了为什么 NAND 存储器是高容量数据存储的完美解决方案, 尽管 NOR 存储器也可被用来做数据存储和执行。
 

       从物理结构上来说, 因为它不一定要下拉整个bit-line,  所以NAND Flash 结构可以使用更小的晶体管。 一条 NAND bit line 就是一些连续的晶体管, 每一个晶体管只能流过少于总量的电流。下图介绍了 NAND 和 NOR 结构内晶体管是怎样被连接在一起的,  以及他们的单元大小有什么不同。
     

     得益于 NAND Flash 这种更有效率的结构,  使得它每一单元的大小几乎是 NOR 单元的一半。这也使得 NAND Flash 结构在给定的硬模内提供了更高的密度,  更高的容量,  同样也使得它的生产制程更为简单。高容量存储应用中, NAND 结构相对于 NOR 结构来说更为节省成本。正如上面说介绍的, NAND Flash 存储器是大容量数据存储的完美解决方案。(典型应用: 平板电脑,，数码相机，导航仪，POS机）

    上面所描叙的工艺是众所周知的单极单元(SLC)工艺, 通过电压的 “H”或 “L”，一个存储器单元保存 1bit 的信息。有时候多极单元(SLC)工艺也会被用到。 在这样的应用中, 每一个存储单元能保存 2bit 或更多 bit 的信息， 通过存储更多位。相对于基于 SLC 结构的存储器， MLC 存储器传输的速度大大降低了，同时它也产生了更高的功耗。但是,其实这两种工艺都采用相同的 I/O 接口和指令。 

    在 NOR Flash 中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元 — 他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分， 这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。 为了增加产量和降低生产成本,  NAND Flash 器件中存在一些随机 bad block 。 为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在 IC 烧录前必须先识别。 在一些出版物中, 有人称 bad block 为“bad block”,  也有人称 bad block 为“invalid block”。 其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 

    从实际的应用上来说,  NOR Flash 与 NAND Flash 主要的区别在于接口。 NOR Flash 拥有完整的存取-映射访问接口,  它拥有专门的地址线和数据线,  类似与 EPROM。 然而在 NAND Flash 中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过 8/16 位宽的总线(I/O 接口) 到内部的寄存器。 

NAND Flash 存储器结构描叙

    NAND Flash存储器由block (块) 构成, block的基本单元是page (页)。 通常来说, 每一个 block 由 16, 32 或 64 个 page 组成。大多数的 NAND Flash 器件每一个 page (页)内包含 512 个字节(或称为 256 个字)的 Data area（数据存储区域）。每一个 page 内包含有一个扩展的 16 字节的 Spare area（备用区域）。所以每一个 page 的大小为 512 16=528 字节。 我们称这样的 page 为 small page。

     那些大容量的(1Gbig 或更多)的 NAND Flash, 它每 page 的容量就更大,  每 page 内 Data area（数据存储区域）的大小为 2048 字节,  Spare area（备用区域）大小为 64 字节。